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替代7560K应用喷雾器mos管控制工艺

替代7560K应用喷雾器mos管控制工艺
替代7560K应用喷雾器mos管控制工艺7560K半导体器件制作工艺分为前道和后道工序，晶圆制造和测试被称为前道（Front End）工序，而芯片的封装、测试及成品入库则被
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
[江苏苏州市] 苏州华镁忆芯半导体有限公司 [未核实]

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替代6080K应用13串n沟道mos管工艺

替代6080K应用13串n沟道mos管工艺
替代6080K应用13串n沟道mos管工艺6080K前道生产主要指晶圆制造，包括光刻、等离子体刻蚀、离子注入、离子扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
[江苏苏州市] 苏州华镁忆芯半导体有限公司 [未核实]

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替代3080K应用滑板车p沟道mos管工艺

替代3080K应用滑板车p沟道mos管工艺
替代3080K应用滑板车p沟道mos管工艺3080K1 ) 晶粒切割， Wafer Sawing.使用高速旋转的切割刀，把晶圆上的晶粒切割分离开来.2) 晶粒黏贴， Die Attach.银胶把晶粒
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
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有铁芯直线电机大功率高推力 TB大号系列

有铁芯直线电机大功率高推力 TB大号系列
荷兰Tecnotion是全球直驱电机技术领域的权威。作为一家从荷兰飞利浦独立出来的公司，我们为客户提供直线和力矩电机产品及相关的定制化服务。Tecnotion 直线电机
2022-04-25 16:58 电机直线电机
[江苏苏州市] 泰克诺尔贸易（苏州）有限公司 [未核实]

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替代AON7264E应用平衡车mos管厂家工艺

替代AON7264E应用平衡车mos管厂家工艺
替代AON7264E应用平衡车mos管厂家工艺AON7264ELD MOSFET 特点：制造工艺简单、具有低结电容，因此开关速度快；但该工艺 MOSFET 因不能充分应用硅片尺寸，电流和
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
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替代AON7262E应用筋膜枪mos管控制工艺

替代AON7262E应用筋膜枪mos管控制工艺
替代AON7262E应用筋膜枪mos管控制工艺AON7262E对失效器件进行失效分析。使用反应离子刻蚀仪（RIE）配合盐酸去除表面钝化层和金属层后，发光显微镜（EMMI）分析发
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
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替代AON7242应用平衡车p沟道mos管工艺

替代AON7242应用平衡车p沟道mos管工艺
替代AON7242应用平衡车p沟道mos管工艺AON7242VV MOSFET 是第一个商业化功率 MOSFET，VV MOSFET 是利用 V 型槽来实现垂直导电，当 Vgs 大于 0 时，在 V 型槽外壁
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
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替代AON7240应用手机云台大电流mos管工艺

替代AON7240应用手机云台大电流mos管工艺
替代AON7240应用手机云台大电流mos管工艺AON7240第一部分是研究背景，包括功率 MOSFET和ESD保护型功率 MOSFET的发展、应用以及市场前景等。第二部分是理论基础，
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
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替代AON6932应用13串MOSFET工艺

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替代AON6932应用13串MOSFET工艺AON6932前道生产主要指晶圆制造，包括光刻、等离子体刻蚀、离子注入、离子扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
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替代AON6756应用电动扳手n mos管工艺

替代AON6756应用电动扳手n mos管工艺
替代AON6756应用电动扳手n mos管工艺AON6756晶圆测试晶圆经过划片工艺后，表面上会形成一道一道小格，每个小格就是一个晶片或晶粒（Die），即一个独立的集成电路
2022-04-25 16:58 电力电子 MOSFET
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